成膜事例(TiO2膜)

製品版と同一仕様のチャンバを搭載したデモ機に於いて、狭開口・高アスペクトレシオのL/S-TEGに対してTiO2膜を製膜した事例です。基板トップからボトムまでほぼ均一なステップカバレッジを示し、サイクル数に比例した良好な成膜性能を実証しました。

成膜事例(TiO2膜)

[ 成膜条件 ]

・プリカーサ TDMAT(Tetrakis Dimethylamino Titanium)
・酸化剤 UPW(H2O)
・サンプル基板 Si A/R20 L/Sパターン
・成膜温度 200℃

[ Si-TEG仕様 ]

・間口: 100nm
・ピッチ: 200nm
・深さ: 2000nm

成膜結果(50・100・150Cycle)

Top 1500k (50cycle)

Top 1500k (50cycle)

Top 1500k (100cycle)

Top 1500k (100cycle)

Top 1500k (150cycle)

Top 1500k (150cycle)

Bottom 1500k (50cycle)

Bottom 1500k (50cycle)

Bottom 1500k (100cycle)

Bottom 1500k (100cycle)

Bottom 1500k (150cycle)

Bottom 1500k (150cycle)

TEM解析協力:東芝ナノアナリシス株式会社様

トップとボトムでの成膜レート比較

Growth Rate (Surface)

Growth Rate (Bottom)


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